另外，全球最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung)周五表示，已开发出业界首款、也是容量最高的32gb DDR5 DRAM，采用业界领先的12纳米制程技术。
上个月，这家总部位于韩国水原的公司向英伟达提供了其第四代高带宽内存芯片的样品，用于在英伟达的A100和H100张量核心图形处理单元(gpu)上进行质量验证。
业界消息人士称，随着质量测试的完成，三星可能最早于10月开始向英伟达供应HBM3芯片。
消息人士称，两家公司还就三星明年供应HBM3芯片达成了协议。他们说，到2024年，三星可能会满足英伟达约30%的HBM3需求。
迄今为止，英伟达只从SK海力士(SK Hynix Inc.)那里获得了HBM3芯片。SK海力士是全球第二大内存芯片制造商，也是三星的同城竞争对手。
SK海力士上月表示，已向英伟达提供了一款新型高性能芯片HBM3E的样品，供其评估。
英伟达生产用于ChatGPT等生成式人工智能设备的gpu, ChatGPT是微软(Microsoft corp .)支持的OpenAI开发的聊天机器人，它需要能够快速处理大数据的半导体。
据悉，ChatGPT使用了大约1万个英伟达的A100芯片。HBM3 DRAM是A100的关键部件。
三星与amd的交易
据悉，三星电子在美国无晶圆厂芯片设计公司AMD的Instinct MI300X加速器上成功进行验证测试后，将向AMD提供HBM3芯片。
业内人士说，考虑到三星与英伟达和AMD的供应协议，明年三星在全球HBM芯片市场的份额可能会超过50%。
HBM系列DRAM的需求正在增长，因为该芯片为高性能计算系统上运行的生成人工智能设备提供动力。
这种芯片用于高性能数据中心和机器学习平台，可以提高人工智能和超级计算的性能水平。
据悉，HBM3的容量和带宽分别是最新DRAM产品GDDR6的12倍和13倍。
芯片封装处理英伟达，amd
消息人士称，三星还在就为英伟达的gpu和AMD的中央处理器(cpu)提供芯片封装服务进行深入谈判。
封装是半导体制造的最后步骤之一，它将芯片放在一个保护壳中以防止腐蚀，并提供一个接口来组合和连接已经制造的芯片。
英伟达的芯片封装业务一直严重依赖台积电(TSMC)。然而，由于台积电的封装生产线几乎全部被预订，英伟达和其他无晶圆厂客户正在求助于其他代工厂商。
根据行业咨询公司Yole Intelligence的数据，到2027年，全球先进包装市场预计将从2021年的374亿美元增长74%，达到650亿美元。
花旗环球金融(Citi Global Markets)周五表示，三星的HBM3交易将提高明年的利润。
花旗(Citi)分析师Lee Se-cheol说，他预计三星2024年的营业利润将较今年增长7%。
花旗还将三星股票的目标价从11万韩元上调至12万韩元。上周五，三星股价上涨6.1%，收于7.1万韩圆，涨幅超过了韩国综合股价指数0.3%的涨幅。
突破与32 Gb DDR5 DRAM
另外，三星于周五发布了12纳米级32 Gb双数据速率(DDR)5 DRAM，该公司表示，这是各种人工智能应用的理想选择。
最新款内存的容量是16gb DDR5的两倍，但封装尺寸相同，是业界单个DRAM芯片的最高容量。与16gb的产品相比，它的电力效率也提高了10%。
三星电子于今年5月开始量产采用业界最先进的12nm制程节点的16gb DDR5芯片。
三星电子于1983年首次开发出64千字节(Kb)的DRAM，在过去的40年里，将DRAM的容量提高了50万倍。
三星电子负责DRAM产品技术的常务副社长黄尚俊(音)表示:“凭借12纳米级32Gb DRAM，我们确保了能够实现最高1tb (TB) DRAM模块的解决方案，使我们能够满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求。”
三星电子表示，为了在人工智能时代保持市场领先地位，将继续扩大大容量DRAM系列。
根据市场研究公司IDC的数据，预计到2027年，每台服务器安装的DRAM使用量将从今年估计的1.93 TB增加近一倍，达到3.86 TB。
